SiCとはSilicon Carbideの略で、シリコン(Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体の材料のことです。従来、半導体の材料は主にシリコン単体でしたが、近年の技術進歩により、SiCやGaN(ガリウムと窒素の化合物)のような半導体材料が開発されています。SiCは高温動作時の安定性、高耐圧性、動作時電力の低損失性に優れていることから、高電圧や大電流を扱うことができるパワー半導体に利用されます。 関連ページ 半導体 戻る