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絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ
ファストリカバリダイオード

パワー半導体 > 絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ

MRシリーズ IGBT 小電流

スクロールできます

型式	コレクタ・エミッタ耐圧 VCES [V]	コレクタ電流 IC [A]	飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 標準 [V]	飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 上限 [V]	ゲート電圧 VGES [V]	閾値電圧 VGE(th) 下限 [V]	閾値電圧 VGE(th) 上限 [V]	チップサイズ X [mm]	チップサイズ Y [mm]	接合温度 Tj [℃]	仕様書-1

MRシリーズ IGBT 中電流

スクロールできます

型式	コレクタ・エミッタ耐圧 VCES [V]	コレクタ電流 IC [A]	飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 標準 [V]	飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 上限 [V]	ゲート電圧 VGES [V]	閾値電圧 VGE(th) 下限 [V]	閾値電圧 VGE(th) 上限 [V]	チップサイズ X [mm]	チップサイズ Y [mm]	接合温度 Tj [℃]	仕様書-1

MIシリーズ IGBT 中電流

スクロールできます

型式	コレクタ・エミッタ耐圧 VCES [V]	コレクタ電流 IC [A]	飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 標準 [V]	飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 上限 [V]	ゲート電圧 VGES [V]	閾値電圧 VGE(th) 下限 [V]	閾値電圧 VGE(th) 上限 [V]	ゲート抵抗 Rgint 標準 [Ω]	チップサイズ X [mm]	チップサイズ Y [mm]	接合温度 Tj [℃]	仕様書-1

パワー半導体 > ファストリカバリダイオード

MRシリーズ FRD

スクロールできます

型式	逆耐圧 VRR [V]	順方向電流 IF [A]	順方向電圧 VF 標準 [V]	順方向電圧 VF 上限 [V]	チップサイズ X [mm]	チップサイズ Y [mm]	接合温度 Tj [℃]	仕様書-1

MIシリーズ FRD

スクロールできます

型式	逆耐圧 VRR [V]	順方向電流 IF [A]	順方向電圧 VF 標準 [V]	順方向電圧 VF 上限 [V]	チップサイズ X [mm]	チップサイズ Y [mm]	接合温度 Tj [℃]	仕様書-1

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