パワー半導体 > 絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ
MRシリーズ IGBT 小電流
| 型式 | コレクタ・エミッタ耐圧 VCES [V] |
コレクタ電流 IC [A] |
飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 標準 [V] |
飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 上限 [V] |
ゲート電圧 VGES [V] |
閾値電圧 VGE(th) 下限 [V] |
閾値電圧 VGE(th) 上限 [V] |
チップサイズ X [mm] |
チップサイズ Y [mm] |
接合温度 Tj [℃] |
仕様書-1 |
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MRシリーズ IGBT 中電流
| 型式 | コレクタ・エミッタ耐圧 VCES [V] |
コレクタ電流 IC [A] |
飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 標準 [V] |
飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 上限 [V] |
ゲート電圧 VGES [V] |
閾値電圧 VGE(th) 下限 [V] |
閾値電圧 VGE(th) 上限 [V] |
チップサイズ X [mm] |
チップサイズ Y [mm] |
接合温度 Tj [℃] |
仕様書-1 |
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MIシリーズ IGBT 中電流
| 型式 | コレクタ・エミッタ耐圧 VCES [V] |
コレクタ電流 IC [A] |
飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 標準 [V] |
飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 上限 [V] |
ゲート電圧 VGES [V] |
閾値電圧 VGE(th) 下限 [V] |
閾値電圧 VGE(th) 上限 [V] |
ゲート抵抗 Rgint 標準 [Ω] |
チップサイズ X [mm] |
チップサイズ Y [mm] |
接合温度 Tj [℃] |
仕様書-1 |
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パワー半導体 > ファストリカバリダイオード
MRシリーズ FRD
| 型式 | 逆耐圧 VRR [V] |
順方向電流 IF [A] |
順方向電圧 VF 標準 [V] |
順方向電圧 VF 上限 [V] |
チップサイズ X [mm] |
チップサイズ Y [mm] |
接合温度 Tj [℃] |
仕様書-1 |
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MIシリーズ FRD
| 型式 | 逆耐圧 VRR [V] |
順方向電流 IF [A] |
順方向電圧 VF 標準 [V] |
順方向電圧 VF 上限 [V] |
チップサイズ X [mm] |
チップサイズ Y [mm] |
接合温度 Tj [℃] |
仕様書-1 |
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