リチウムイオン2次電池保護ICは高耐圧CMOSプロセスによるリチウムイオン/リチウムポリマ2次電池の過充電、過放電および過電流保護ICです。リチウムイオン/リチウムポリマー2次電池の過充電、過放電、放電過電流、充電過電流及び短絡の検出が可能です。内部回路は電圧検出器、短絡検出回路、基準電圧源、発振回路、カウンタ回路、論理回路等から構成されています。

概要

MD1421ExxCPALシリーズは保護ICとMOS-FETを1つのパッケージに内蔵したリチウムイオン/リチウムポリマ二次電池の保護用ICです。リチウムイオン/リチウムポリマ電池1セルの過充電、過放電、放電過電流、短絡、充電過電流及び過大充電器の検出が可能です。

  • 1セル用

  • 1) 各種検出/復帰電圧の選択範囲と精度
     ●過充電検出電圧 4.10V~4.45V, 5mVステップで選択可能 精度±20mV
     ●過充電復帰電圧 3.90V~4.30V (注1) 精度±50mV
     ●過放電検出電圧 2.00V~3.00V (注2) 精度±100mV
     ●過放電復帰電圧 2.00V~3.20V (注2) 精度±100mV
     ●放電過電流検出電圧 40mV~180mV, 5mVステップで選択可能 精度±5mV
     ●充電過電流検出電圧 -180mV~-50mV, 5mVステップで選択可能 精度±15mV
     ●短絡検出電圧 0.56V, 0.90Vから選択可能 精度±100mV
     ●過大充電器検出電圧 VCC-8.0V固定 精度±2.0V
     ●過大充電器復帰電圧 VCC-7.3V固定 精度±1.5V

    2) 各種検出遅延時間の選択範囲
     ●過充電検出遅延時間 1.0s, 4.5s, 6.25sから選択可能
     ●過放電検出遅延時間 100ms, 256msから選択可能
     ●放電過電流検出遅延時間 8ms, 12ms, 16ms, 20ms, 34msから選択可能
     ●充電過電流検出遅延時間 8.5ms, 25ms, 32.5msから選択可能
     ●短絡検出遅延時間 0.50ms, 0.75ms, 1.00msから選択可能

    3) 0V電池への充電機能「許可」/「禁止」の選択が可能
    4) 過充電検出遅延タイマリセット機能(パルス充電対応機能)有り固定
    5) 低消費電流
     ●通常動作モード時 Typ. 3.0µA, Max. 5.2µA
     ●スタンバイモード時 Max. 0.1µA (過放電復帰条件が「充電器接続復帰」の場合)
    Max. 0.5µA (過放電復帰条件が「電圧復帰」の場合)

    6) MOS-FET ソース・ソース間オン抵抗 Typ. 38.0mΩ(@VCC=3.7V)

    注1 : 過充電検出/復帰電圧のヒステリシス電圧は、 0.10V/0.15V/0.20V/0.25Vから選択可能です。
    注2 : 過放電検出/復帰電圧の設定の詳細に関しては弊社までお問い合わせください。

  • 以下のテーブル内の矢印アイコンを押下していただくと、昇順から降順と順番に切り替わります。

    スクロールできます

    製品名

    パッケージ

    0V 充電

    過充電
    検出電圧
    [V]

    過充電
    復帰電圧
    [V]

    過放電
    検出電圧
    [V]

    過放電
    復帰電圧
    [V]

    放電過電流
    検出電圧
    [V]

    充電過電流
    検出電圧
    [V]

    短絡
    検出電圧
    [V]

    過充電
    検出遅延時間
    [s]

    過放電
    検出遅延時間
    [ms]

    放電過電流
    検出遅延時間
    [ms]

    充電過電流
    検出遅延時間
    [ms]

    短絡
    検出遅延時間
    [ms]

    放電過電流
    遮断電流
    [A]

    充電過電流
    遮断電流
    [A]

    MD1421E28CPAL-R PLP-4-1228 許可 4.375 4.175 3.000 3.000 0.040 -0.0500 0.900 1.000 100.0 12.0 8.5 0.500 1.050 1.300
    MD1421E34CPAL-R PLP-4-1228 許可 4.375 4.175 3.200 3.000 0.040 -0.0500 0.900 1.000 100.0 12.0 8.5 0.500 1.050 1.300
    MD1421E35CPAL-R PLP-4-1228 禁止 4.425 4.225 2.700 2.700 0.070 -0.0700 0.560 1.000 100.0 20.0 8.5 0.750 1.800 1.800
    MD1421E36CPAL-R PLP-4-1228 許可 4.425 4.225 2.800 2.800 0.085 -0.0950 0.900 1.000 100.0 20.0 8.5 0.750 2.200 2.450
    MD1421E39CPAL-R PLP-4-1228 禁止 4.280 2.700 2.700 0.080 -0.0800 0.900 1.000 100.0 20.0 8.5 0.750 2.050 2.050
    MD1421E41CPAL-R PLP-4-1228 禁止 4.280 4.180 2.700 2.700 0.120 -0.1200 0.900 1.000 100.0 20.0 8.5 0.750 3.100 3.100
    MD1421E43CPAL-R PLP-4-1228 禁止 4.270 4.070 3.000 3.000 0.040 -0.0500 0.560 1.000 100.0 12.0 8.5 0.500 1.050 1.300
    MD1421E44CPAL-R PLP-4-1228 許可 4.425 4.225 3.200 3.000 0.040 -0.0500 0.900 1.000 100.0 12.0 8.5 0.500 1.050 1.300
    MD1421E48CPAL-R PLP-4-1228 許可 4.425 4.225 3.000 3.000 0.040 -0.0500 0.900 1.000 100.0 12.0 8.5 0.500 1.050 1.300
    MD1421E50CPAL-R PLP-4-1228 禁止 4.280 4.180 2.700 2.700 0.140 -0.0900 0.900 1.000 100.0 12.0 8.5 0.500 3.600 2.300
    MD1421E51CPAL-R PLP-4-1228 禁止 4.425 2.800 2.800 0.085 -0.0950 0.900 1.000 100.0 20.0 8.5 0.750 2.200 2.450
    MD1421E54CPAL-R PLP-4-1228 許可 4.425 4.225 3.200 2.700 0.110 -0.0500 0.900 1.000 100.0 48.0 8.5 0.500 2.800 1.300
    MD1421E59CPAL-R PLP-4-1228 許可 4.410 4.210 3.000 3.000 0.040 -0.0800 0.560 1.000 100.0 12.0 8.5 0.500 1.050 2.050
    MD1421E60CPAL-R PLP-4-1228 許可 4.480 4.280 3.000 3.000 0.080 -0.1300 0.900 1.000 100.0 20.0 25.0 0.750 2.050 3.350
    MD1421E62CPAL-R PLP-4-1228 許可 4.475 4.275 3.000 2.800 0.080 -0.0900 0.560 1.000 100.0 12.0 8.5 0.500 2.050 2.300
    MD1421E63CPAL-R PLP-4-1228 許可 4.270 4.070 3.000 3.000 0.040 -0.0500 0.560 1.000 100.0 12.0 8.5 0.500 1.050 1.300
    MD1421E65CPAL-R PLP-4-1228 許可 4.455 4.255 2.900 2.500 0.160 -0.1750 0.560 1.000 100.0 12.0 8.5 0.500 4.100 4.500
    MD1421E66CPAL-R PLP-4-1228 許可 4.495 4.295 2.900 2.300 0.180 -0.1800 0.560 1.000 100.0 20.0 32.5 0.750 4.600 4.600
  • 関連データ

注目製品

ミネベアミツミの半導体が選ばれる理由

開発・設計・製造までの一貫体制で高性能な半導体を提供します

ダウンロード

製品トピックス

産業分野(用途)から探す

サポート・お問い合わせ

各種製品に関するお問い合わせや技術的なご質問、各種資料のお取り寄せなど、各製品担当者がお答えいたします。

PCimageSPimage