MJ3542 シリーズ

MJ3542シリーズは保護ICとMOS-FETを1つのパッケージに内蔵したリチウムイオン/リチウムポリマ 二次電池の保護用ICです。リチウムイオン/リチウムポリマ 電池1セルの過充電、過放電、放電過電流、短絡、充電過電流の検出が可能です。OTP技術により電池の異常状態を超高精度に検出して保護することが可能です。

1セル用

（1）各種検出／復帰電圧の選択範囲と精度
　● 過充電検出電圧 4.10V ～ 4.60V, 5mVステップ 精度±10mV
　● 過充電復帰電圧 Vdet1 － CHYS(※1)
　● 過放電検出電圧 2.00V ～ 2.80V, 100mVステップ 精度±35mV
　● 過放電復帰電圧 Vdet2 + DHYS(※2)
　● 放電過電流検出電流 3.0A ～ 12.0A, 0.1A ステップ ※3
　● 充電過電流検出電流 3.0A ～ 12.0A, 0.1A ステップ ※3
　● 短絡検出電圧 90mV ～ 180mV, 5mV ステップ 精度±10mV

（2）各種検出／復帰遅延時間の選択範囲
　● 過充電検出遅延時間 1.024s, 4.6sから選択可能
　● 過充電復帰遅延時間 8ms, 16msから選択可能
　● 過放電検出遅延時間 20ms, 96ms,144msから選択可能
　● 放電過電流検出遅延時間 6ms, 8ms, 12ms, 16ms, 20ms, 32ms, 128ms, 256msから選択可能
　● 充電過電流検出遅延時間 8ms, 16ms, 32msから選択可能
　● 短絡検出遅延時間 300us ～ 600us, 50usステップで選択可能

（3）0V電池への充電機能 「禁止」／許可」の選択が可能

（4）低消費電流
　● 通常動作モード時 Typ. 4.5μA, Max. 7.0μA
　● スタンバイモード時 Max. 0.1μA（ 過放電ラッチ機能「あり」の場合）
　 Max. 0.3μA（ 過放電ラッチ機能「なし」の場合）

（5）MOS-FET特性 ソース・ソース間オン抵抗 Typ. 4.7mΩ (@VDD=3.6V)

※1 CHYS(ヒステリシス電圧)は、無し(0V),CHYS1,CHYS2から選択可能 CHYS1,CHYS2はVdet1設定値に依存
※2 DHYS(ヒステリシス電圧)は、無し(0V),DHYS1,DHYS2,DHYS3から選択可能 DHYS1,DHYS2,DHYS3はVdet2設定値に依存
※3 過電流検出電流の精度は設定値によって変わります。　詳細に関しましては弊社までお問い合わせください。

パッケージ

• SSON-6N