リチウムイオン2次電池保護ICは高耐圧CMOSプロセスによるリチウムイオン/リチウムポリマ2次電池の過充電、過放電および過電流保護ICです。リチウムイオン/リチウムポリマー2次電池の過充電、過放電、放電過電流、充電過電流及び短絡の検出が可能です。内部回路は電圧検出器、短絡検出回路、基準電圧源、発振回路、カウンタ回路、論理回路等から構成されています。
概要
MM3575シリーズは高耐圧CMOSプロセスによるLiイオン/Liポリマー2次電池の過充電、過放電及び過電流保護用ICです。Liイオン/Liポリマー電池3セル~ 5セルの過充電、過放電、放電過電流、充電過電流、セルバランス、及びV5~V1端子の断線を検出することが可能です。また、MM3575をカスケード接続することにより6セル以上への対応が可能です。また、IC外部のNch FETを使用し、レギュレータを構成することが可能です。内部は電圧検出器、基準電圧源、遅延時間設定回路、論理回路等から構成されています。
-
-
3~5セル用
-
(1) 各種検出/復帰電圧の選択範囲と精度
● 過充電検出電圧 3.6V~4.5V, 5mVステップで選択可能 精度±25mV
● 過充電復帰電圧 3.4V~4.5V, 50mVステップで選択可能 精度±50mV
● 過放電検出電圧 2.0V~3.0V, 50mVステップで選択可能 精度±80mV
● 過放電復帰電圧 2.0V~3.5V, 50mVステップで選択可能 精度±100mV
● 放電過電流検出電圧1 30mV~300mV, 5mVステップで選択可能 精度±15mV
● 放電過電流検出電圧2 放電過電流1の2倍、4倍 精度±15%
● ショート検出電圧 放電過電流1の4倍、8倍 精度±100mV
● 充電過電流検出電圧 −300mV~−20mV 5mV ステップで選択可能 精度±10mV
● セルバランス検出電圧 3.6V~4.5V, 5mVステップで選択可能 精度±30mV
(2) 各種検出遅延時間の選択範囲
● 過充電検出遅延時間 0.25s, 1.0s, 1.25s, 4.1sから選択可能 精度±25%
● 過充電復帰遅延時間 10ms, 24ms, 48ms, 100msから選択可能 精度±25%
● 過放電検出遅延応時間 0.25s, 1.0s, 1.25s, 4.1sから選択可能 精度±25%
● 過放電復帰遅延時間 4ms, 8ms, 12ms, 24msから選択可能 精度±25%
● 放電過電流検出遅延時間1 COC端子外付け容量にて可変 精度±30%
● 放電過電流検出遅延時間2 COC端子外付け容量にて可変 精度±30%
● ショート検出遅延時間 100μsec, 200μsec, 300μsec, から選択可能 精度±50%
● 放電過電流復帰遅延時間 COC端子外付け容量にて可変 精度±30%
● 充電過電流検出遅延時間 COC端子外付け容量にて可変 精度±30%
● 充電過電流復帰遅延時間 COC端子外付け容量にて可変 精度±30%
● 断線検出遅延時間 25ms, 50ms, 100msから選択可能 精度±25%
● 断線復帰遅延時間 1024ms, 2048ms, 4096msから選択可能 精度±25%
● セルバランス検出遅延時間 0.1s, 0.25s, 0.5s から選択可能 精度±25%
● セルバランス復帰不感応時間 4ms, 8ms, 12msから選択可能 精度±25%
(3) V5~V1端子の断線を検出し保護動作が可能
(4) SEL端子にて3セル保護用~5セル保護用の設定切替が可能
(5) SDC端子とSOC端子にて充電/放電が独立に制御可能
(6) 0V充電許可/禁止の選択が可能
(7) パワーセーブモード搭載
(8) レギュレータが構成可能
(9) 低消費電流
● VDD端子消費電流(Vcell=4.3V)Typ. 25.0μA Max. 35.0μA
● VDD端子消費電流(Vcell=3.5V)Typ. 20.0μA Max. 30.0μA
● VDD端子消費電流(Vcell=2.0V)Typ. 10.0μA, Max. 15.0μA
● VDD端子パワーセーブ時消費電流1(Vcell=3.5V)Typ. 12.0μA, Max. 16.0μA
● VDD端子パワーセーブ時消費電流2(Vcell=3.5V)Typ. 4.0μA, Max. 6.0μA
● V5端子消費電流(Vcell=4.3V)Typ. 4.0μA, Max. 6.0μA
● V5端子消費電流(Vcell=3.5V)Typ. 2.0μA, Max. 3.0μA
● V5端子消費電流(Vcell=2.0V)Typ. 1.0μA, Max. 1.5μA
● V5端子パワーセーブ時消費電流(Vcell=3.5V)Max. 0.05μA -
以下のテーブル内の矢印アイコンを押下していただくと、昇順から降順と順番に切り替わります。
スクロールできます
製品名
パッケージ
0V 充電
過充電
検出電圧
[V]過充電
復帰電圧
[V]過放電
検出電圧
[V]過放電
復帰電圧
[V]放電過電流
検出電圧1
[V]放電過電流
検出電圧2
[V]充電過電流
検出電圧
[V]短絡
検出電圧
[V]セルバランス
検出電圧
[V]過充電
検出遅延時間
[s]過充電
復帰遅延時間
[ms]過放電
検出遅延時間
[ms]過放電
復帰遅延時間
[ms]放電過電流
検出遅延時間1
[ms]放電過電流
検出遅延時間2
[ms]放電過電流
復帰遅延時間
[ms]充電過電流
検出遅延時間
[ms]充電過電流
復帰遅延時間
[ms]短絡
検出遅延時間
[ms]断線
検出遅延時間
[ms]断線
復帰遅延時間
[ms]セルバランス
検出遅延時間
[ms]セルバランス
復帰不感応時間
[ms]MM3575A02WBH VSOP-24A 禁止 4.250 4.175 2.800 2.900 0.1000 0.2000 -0.0200 0.400 4.180 1.000 100.0 1000.0 4.0 10.0 2.0 4.00 1024.0 128.0 0.200 200.0 4096.0 256.0 8.0 MM3575A08WBH VSOP-24A 禁止 4.250 4.100 2.600 3.200 0.0900 0.1800 -0.0300 0.360 4.180 1.000 100.0 2000.0 4.0 1536.0 60.0 4.00 100.0 128.0 0.200 200.0 4096.0 256.0 8.0 MM3575A13WBH VSOP-24A 禁止 4.270 4.170 2.800 3.200 0.0500 0.1000 -0.0300 0.300 4.180 0.200 5.0 200.0 2.0 5.0 1.0 4.00 1024.0 50.0 0.200 200.0 8.0 MM3575A14WBH VSOP-24A 禁止 4.270 4.170 2.400 2.900 0.0500 0.1000 -0.0300 0.300 4.180 0.200 5.0 200.0 2.0 5.0 1.0 4.00 1024.0 50.0 0.200 200.0 8.0 MM3575D01WBH VSOP-24A 禁止 4.230 4.180 2.800 3.000 0.1000 0.4000 -0.1000 0.800 4.180 1.000 100.0 100.0 4.0 2048.0 20.0 8.00 512.0 128.0 0.200 256.0 4096.0 -
関連データ
注目製品
ミネベアミツミの半導体が選ばれる理由
開発・設計・製造までの一貫体制で高性能な半導体を提供します