MM3684 シリーズ

リチウムイオン2次電池保護ICは高耐圧CMOSプロセスによるリチウムイオン/リチウムポリマ2次電池の過充電、過放電および過電流保護ICです。リチウムイオン/リチウムポリマー2次電池の過充電、過放電、放電過電流、充電過電流及び短絡の検出が可能です。内部回路は電圧検出器、短絡検出回路、基準電圧源、発振回路、カウンタ回路、論理回路等から構成されています。

概要

MM3684シリーズは高耐圧CMOSプロセスによるLiイオン/Liポリマー二次電池の過充電、2次保護過充電、過放電、過電流及び温度保護用ICです。Liイオン/Liポリマー電池3セル～ 5セルの過充電、過放電、放電過電流、充電過電流、温度保護を検出することが可能です。内部は電圧検出器、基準電圧源、遅延時間設定回路、論理回路等から構成されています。

3～5セル用
（1）各種検出/復帰電圧の選択範囲と精度
• 過充電検出電圧1（OV出力） 3.6V～4.5V, 5mVステップで選択可能精度±25mV
• 過充電復帰電圧1（OV出力） 3.4V～4.5V, 50mVステップで選択可能精度±50mV
• 過充電検出電圧2（ PF出力） 3.6V～4.5V, 5mVステップで選択可能精度±25mV
• 過放電検出電圧1 2.0V～3.0V, 50mVステップで選択可能精度±80mV
• 過放電検出電圧2 2.0V～3.0V, 50mVステップで選択可能精度±100mV
• 過放電復帰電圧 2.0V～3.5V, 50mVステップで選択可能精度±100mV
• 放電過電流検出電圧1 30mV～300mV, 5mVステップで選択可能精度±15%
• 放電過電流検出電圧2 放電過電流1の2倍、4倍精度±20%
• ショート検出電圧放電過電流1の4倍、8倍精度±100mV
• 充電過電流検出電圧 -300mV～-20mV, 5mVステップで選択可能精度±10mV

（2）各種検出遅延時間の選択範囲
• 過充電検出遅延時間1 COV端子外付け容量にて可変精度±50%
• 過充電復帰遅延時間1 COV端子外付け容量にて可変精度±50%
• 過充電検出遅延時間2 CPF端子外付け容量にて可変精度±50%
• 過放電検出遅延時間 CUV端子外付け容量にて可変精度±50%
• 過放電復帰遅延時間 CUV端子外付け容量にて可変精度±50%
• 放電過電流検出遅延時間1 DCOC端子外付け容量にて可変精度±50%
• 放電過電流検出遅延時間2 DCOC端子外付け容量にて可変精度±50%
• ショート検出遅延時間 100μsec, 200μsec, 300μsec, から選択可能精度－50％ , +100％
• 放電過電流復帰遅延時間 DCOC端子外付け容量にて可変精度±50%
• 充電過電流検出遅延時間 CCOC端子外付け容量にて可変精度±50%
• 充電過電流復帰遅延時間 CCOC端子外付け容量にて可変精度±50%
• 温度保護ON時間 CIOT端子外付け容量にて可変精度±50%
• 温度保護OFF時間 CIOT端子外付け容量にて可変精度±50%

（3） SEL端子にて3セル保護用～ 5セル保護用の設定切替が可能

（4） DVSEL端子にて過放電検出の閾値を過放電検出電圧1、2 に切替が可能

（5） 0V充電許可/禁止の選択が可能（オプション機能）

（6）低消費モード搭載

（7）温度検出用レギュレータと温度検出回路を間欠動作にすることで低消費を実現

（8）低消費電流
• VDD端子消費電流（Vcell=4.3V） Typ. 15.0μA, Max. 25.0μA
• VDD端子消費電流（Vcell=3.5V） Typ. 10.0μA, Max. 20.0μA
• VDD端子スタンバイ時消費電流1（Vcell=1.8V） Typ. 3.0μA, Max. 6.0μA
• V5端子消費電流（Vcell=4.3V） Typ. 1.0μA, Max. 2.0μA
• V5端子消費電流（Vcell=3.5V） Typ. 0.8μA, Max. 1.5μA
• V5端子スタンバイ時消費電流（Vcell=1.8V） Max. 0.5μA