リチウムイオン2次電池保護ICは高耐圧CMOSプロセスによるリチウムイオン/リチウムポリマ2次電池の過充電、過放電および過電流保護ICです。リチウムイオン/リチウムポリマー2次電池の過充電、過放電、放電過電流、充電過電流及び短絡の検出が可能です。内部回路は電圧検出器、短絡検出回路、基準電圧源、発振回路、カウンタ回路、論理回路等から構成されています。

概要

MM3766シリーズは高耐圧CMOSプロセスによるLiイオン/Liポリマー2次電池の過充電、過放電、及び過電流保護用ICです。Liイオン/Liポリマー電池2セルの過充電、過放電、放電過電流、及び充電過電流を検出することが可能です。内部は電圧検出器、基準電圧源、遅延時間設定回路、論理回路等から構成されています。

  • 2セル用

  • (1)各種検出/復帰電圧の選択範囲と精度
     ● 過充電検出電圧 3.6V~4.5V,5mV Step 精度±15mV
     ● 過充電復帰電圧 3.4V~4.5V,50mV Step 精度±30mV
     ● 過放電検出電圧 2.0V~3.0V,50mV Step 精度±35mV
     ● 過放電復帰電圧 2.0V~3.5V,50mV Step 精度±50mV
     ● 放電過電流検出電圧1 20mV~300mV,5mV Step 精度±⊿V ※1
     ● 放電過電流検出電圧2 40mV~600mV,10mV Step 精度±⊿V ※1
     ● ショート検出電圧 Selection from 0.7V, 0.8V, 0.9V 精度±300mV
     ● 充電過電流検出電圧 -300mV~-40mV, 5mV Step 精度±⊿V ※1

    (2)各種検出遅延時間の選択範囲
     ●過充電検出遅延時間 256ms to 4.6sから選択可能
     ●過放電検出遅延時間 Selection from 8ms to 2sから選択可能
     ●放電過電流検出遅延時間1 Selection from 8ms to 512msから選択可能
     ●放電過電流検出遅延時間2 Selection from 0.5ms to 6msから選択可能
     ●充電過電流検出遅延時間 Selection from 4ms to 64msから選択可能
     ●ショート検出遅延時間 300usec固定

    (3)0V電池への充電機能 「許可」/「禁止」の選択可能

    (4)消費電流
     ●VDD端子消費電流(Vcell=4.0V) Typ. 4.0uA Max. 8.0uA
     ●VDD端子消費電流(Vcell=2.0V) Max. 0.1uA (過放電復帰条件が「充電器復帰」の場合)
      Max. 2.5uA (過放電復帰条件が「電圧復帰」の場合)
     ●VBL端子電流(Vcell=4.0V) Min. -0.3uA, Max. 0.3uA

    ※1 過電流検出精度

  • 以下のテーブル内の矢印アイコンを押下していただくと、昇順から降順と順番に切り替わります。

    スクロールできます

    製品名

    パッケージ

    0V 充電

    過充電復帰方法

    過放電復帰方法

    放電過電流復帰方法

    過充電
    検出電圧
    [V]

    過充電
    復帰電圧
    [V]

    過放電
    検出電圧
    [V]

    過放電
    復帰電圧
    [V]

    放電過電流
    検出電圧1
    [V]

    充電過電流
    検出電圧
    [V]

    短絡
    検出電圧
    [V]

    過充電
    検出遅延時間
    [s]

    過充電
    復帰遅延時間
    [ms]

    過放電
    検出遅延時間
    [ms]

    過放電
    復帰遅延時間
    [ms]

    放電過電流
    検出遅延時間1
    [ms]

    放電過電流
    復帰遅延時間
    [ms]

    充電過電流
    検出遅延時間
    [ms]

    充電過電流
    復帰遅延時間
    [ms]

    短絡
    検出遅延時間
    [ms]

    MM3766A01NRH SOT-26B 許可 ラッチ ラッチ 電圧 4.250 4.050 2.800 3.000 0.1000 -0.1000 1.000 1.024 16.0 96.0 1.0 10.0 1.00 6.0 1.0 0.300
    MM3766C01NRH SOT-26B 許可 電圧 ラッチ 電圧 4.300 4.150 2.800 3.000 0.1500 -0.1500 0.500 1.024 16.0 128.0 1.0 8.0 1.00 8.0 1.0 0.300
    MM3766C02NRH SOT-26B 許可 電圧 ラッチ 電圧 4.425 4.225 2.750 3.050 0.1500 -0.1000 0.500 1.024 16.0 128.0 1.0 8.0 1.00 8.0 1.0 0.300
    MM3766C03NRH SOT-26B 許可 電圧 ラッチ 電圧 4.250 4.050 2.400 3.000 0.2000 -0.2000 1.100 1.024 16.0 128.0 1.0 12.0 1.00 8.0 1.0 0.300
    MM3766C11NRH SOT-26B 禁止 電圧 ラッチ 電圧 4.250 4.100 2.500 3.000 0.2000 -0.1000 0.500 1.024 16.0 128.0 1.0 8.0 1.00 8.0 1.0 0.300
    MM3766D01NRH SOT-26B 許可 電圧 ラッチ 電圧 4.250 4.100 3.000 3.000 0.2000 -0.2000 0.500 1.024 16.0 128.0 1.0 8.0 1.00 8.0 1.0 0.300
  • 関連データ

注目製品

ミネベアミツミの半導体が選ばれる理由

開発・設計・製造までの一貫体制で高性能な半導体を提供します

ダウンロード

製品トピックス

産業分野(用途)から探す

サポート・お問い合わせ

各種製品に関するお問い合わせや技術的なご質問、各種資料のお取り寄せなど、各製品担当者がお答えいたします。

PCimageSPimage