MIシリーズ IGBT 中電流
MIシリーズ(中電流)は、650V/45A~1250V/200Aのラインアップをそろえています。

特長

フィールドストップトレンチゲートIGBT 、 低コレクタ飽和電圧 、 高短絡耐量 、 低スイッチング損失

  • 高速

  • 産業機器、インバータ、溶接機、無停電電源装置

  • 量産

  • スクロールできます

    コレクタ・エミッタ耐圧 VCES
    [V]

    コレクタ電流
    IC
    [A]

    飽和電圧
    VCE(sat) @Tj=25deg C
    標準
    [V]

    飽和電圧
    VCE(sat) @Tj=25deg C
    上限
    [V]

    ゲート電圧
    VGES
    [V]

    閾値電圧
    VGE(th)
    下限
    [V]

    閾値電圧
    VGE(th)
    上限
    [V]

    ゲート抵抗
    Rgint
    標準
    [Ω]

    チップサイズ
    X
    [mm]

    チップサイズ
    Y
    [mm]

    接合温度
    Tj
    [℃]

    650 150 1.90 2.25 -30~30 5.20 6.60 1.7 7.90 9.70 -40~175
  • 関連データ

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