MIシリーズ IGBT 中電流
MIシリーズ(中電流)は、650V/45A～1250V/200Aのラインアップをそろえています。
特長
フィールドストップトレンチゲートIGBT 、 低コレクタ飽和電圧 、 高短絡耐量 、 低スイッチング損失
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高速
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産業機器、インバータ、溶接機、無停電電源装置
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量産
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スクロールできます
コレクタ・エミッタ耐圧 VCES
[V]コレクタ電流
IC
[A]飽和電圧
VCE(sat) @Tj=25deg C
標準
[V]飽和電圧
VCE(sat) @Tj=25deg C
上限
[V]ゲート電圧
VGES
[V]閾値電圧
VGE(th)
下限
[V]閾値電圧
VGE(th)
上限
[V]ゲート抵抗
Rgint
標準
[Ω]チップサイズ
X
[mm]チップサイズ
Y
[mm]接合温度
Tj
[℃]1200 100 1.95 2.30 -30~30 5.20 6.60 7.5 10.26 9.60 -40~175
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