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絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ MIシリーズ IGBT 中電流

MMJC0A5G00xx

特長

フィールドストップトレンチゲートIGBT 、 低コレクタ飽和電圧 、 高短絡耐量 、 低スイッチング損失

バージョン

高速

用途

産業機器、インバータ、溶接機、無停電電源装置

ステータス

量産

仕様

コレクタ・エミッタ耐圧 VCES
[V]
コレクタ電流
IC
[A]
飽和電圧
VCE(sat) @Tj=25deg C
標準
[V]
飽和電圧
VCE(sat) @Tj=25deg C
上限
[V]
ゲート電圧
VGES
[V]
閾値電圧
VGE(th)
下限
[V]
閾値電圧
VGE(th)
上限
[V]
ゲート抵抗
Rgint
標準
[Ω]
チップサイズ
X
[mm]
チップサイズ
Y
[mm]
接合温度
Tj
[℃]
1200 150 1.95 2.30 -30~30 5.20 6.60 5.0 12.36 11.40 -40~175
コレクタ・エミッタ耐圧 VCES
[V]
コレクタ電流
IC
[A]
飽和電圧
VCE(sat) @Tj=25deg C
標準
[V]
飽和電圧
VCE(sat) @Tj=25deg C
上限
[V]
ゲート電圧
VGES
[V]
閾値電圧
VGE(th)
下限
[V]
閾値電圧
VGE(th)
上限
[V]
1200 150 1.95 2.30 -30~30 5.20 6.60
ゲート抵抗
Rgint
標準
[Ω]
チップサイズ
X
[mm]
チップサイズ
Y
[mm]
接合温度
Tj
[℃]
5.0 12.36 11.40 -40~175

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