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絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ MIシリーズ IGBT 中電流

MMJ75B8F00xx

特長

フィールドストップトレンチゲートIGBT 、 低コレクタ飽和電圧 、 高短絡耐量 、 低スイッチング損失

バージョン

標準

用途

汎用インバータ,EV

ステータス

量産

仕様

コレクタ・エミッタ耐圧 VCES
[V]
コレクタ電流
IC
[A]
飽和電圧
VCE(sat) @Tj=25deg C
標準
[V]
飽和電圧
VCE(sat) @Tj=25deg C
上限
[V]
ゲート電圧
VGES
[V]
閾値電圧
VGE(th)
下限
[V]
閾値電圧
VGE(th)
上限
[V]
ゲート抵抗
Rgint
標準
[Ω]
チップサイズ
X
[mm]
チップサイズ
Y
[mm]
接合温度
Tj
[℃]
750 275 1.30 1.60 -20~20 5.10 6.50 1.7 10.60 10.60 -40~175
コレクタ・エミッタ耐圧 VCES
[V]
コレクタ電流
IC
[A]
飽和電圧
VCE(sat) @Tj=25deg C
標準
[V]
飽和電圧
VCE(sat) @Tj=25deg C
上限
[V]
ゲート電圧
VGES
[V]
閾値電圧
VGE(th)
下限
[V]
閾値電圧
VGE(th)
上限
[V]
750 275 1.30 1.60 -20~20 5.10 6.50
ゲート抵抗
Rgint
標準
[Ω]
チップサイズ
X
[mm]
チップサイズ
Y
[mm]
接合温度
Tj
[℃]
1.7 10.60 10.60 -40~175

備考

EVをご検討の際は弊社窓口までお問い合わせ下さい。

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