MMJC050J00xx

MIシリーズ IGBT 中電流
MIシリーズ(中電流)は、650V/45A～1250V/200Aのラインアップをそろえています。

特長

フィールドストップトレンチゲートIGBT 、低コレクタ飽和電圧、高短絡耐量、低スイッチング損失

スクロールできます

コレクタ・エミッタ耐圧 VCES [V]	コレクタ電流 IC [A]	飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 標準 [V]	飽和電圧 VCE(sat) @Tj=25deg C 上限 [V]	ゲート電圧 VGES [V]	閾値電圧 VGE(th) 下限 [V]	閾値電圧 VGE(th) 上限 [V]	ゲート抵抗 Rgint 標準 [Ω]	チップサイズ X [mm]	チップサイズ Y [mm]	接合温度 Tj [℃]
1200	50	1.70	2.05	-30~30	5.20	6.60	4.0	6.80	7.18	-40~175

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