リチウムイオン2次電池保護ICは高耐圧CMOSプロセスによるリチウムイオン/リチウムポリマ2次電池の過充電、過放電および過電流保護ICです。リチウムイオン/リチウムポリマー2次電池の過充電、過放電、放電過電流、充電過電流及び短絡の検出が可能です。内部回路は電圧検出器、短絡検出回路、基準電圧源、発振回路、カウンタ回路、論理回路等から構成されています。
概要
MJ3401シリーズは保護ICとMOS-FETを1つのパッケージに内蔵したリチウムイオン/リチウムポリマ二次電池の保護用ICです。リチウムイオン/リチウムポリマ電池1セルの過充電、過放電、放電過電流、短絡、充電過電流の検出が可能です。OTP技術により電池の異常状態を超高精度に検出して保護することが可能です。
-
-
1セル用
-
1) 各種検出/復帰電圧の選択範囲と精度
●過充電検出電圧 4.10V~4.60V, 5mV step 精度±10mV
●過充電復帰ヒステリシス電圧 0V、0.1V、0.2V
●過放電検出電圧 2.00V~3.00V 100mV 精度±35mV
●過放電復帰ヒステリシス電圧 0V、0.2V、0.3V、0.4V
●放電過電流検出電流 4.0A~8.0A、0.1A step(注1)
●充電過電流検出電流 4.0A~8.0A、0.1A step(注1)
●短絡検出電圧 180mV~360mV, 10mV step 精度±15mV
2) 各種検出遅延時間の選択範囲
●過充電検出遅延時間 1.024s, 4.60s
●過放電検出遅延時間 20ms, 96ms, 144ms
●放電過電流検出遅延時間 6ms, 8ms, 12ms, 16ms, 20ms, 32ms, 128ms, 256ms
●充電過電流検出遅延時間 8ms, 16ms, 32ms
●短絡検出遅延時間 500μs, 820μs
3) 0V電池への充電機能「許可」/「禁止」の選択が可能
4) 低消費電流
●通常動作モード時 Typ. 4.5μA, Max. 7.0μA
●スタンバイモード時 Max. 0.1μA (過放電ラッチ機能「あり」の場合)
Max. 0.3μA (過放電ラッチ機能「なし」の場合)
5) MOS-FET ソース・ソース間オン抵抗 Typ. 11.0mΩ(@VDD=3.6V)
注1 : 過電流検出電流の精度は設定値によって変わります。詳細に関しましては弊社までお問い合わせください。 -
以下のテーブル内の矢印アイコンを押下していただくと、昇順から降順と順番に切り替わります。
スクロールできます
製品名
パッケージ
0V 充電
過充電
検出電圧
[V]過充電
復帰電圧
[V]過放電
検出電圧
[V]過放電
復帰電圧
[V]短絡
検出電圧
[V]過充電
検出遅延時間
[s]過放電
検出遅延時間
[ms]放電過電流
検出遅延時間
[ms]充電過電流
検出遅延時間
[ms]短絡
検出遅延時間
[ms]放電過電流
遮断電流
[A]充電過電流
遮断電流
[A]MJ3401A01DAM PLP-6G 許可 4.425 4.220 2.500 2.925 0.360 1.024 96.0 12.0 8.0 0.500 6.000 6.600 MJ3401A07DAM PLP-6G 許可 4.425 4.220 2.500 2.925 0.180 1.024 96.0 12.0 8.0 0.500 8.000 6.000 MJ3401A08DAM PLP-6G 許可 4.475 4.265 2.300 2.690 0.360 1.024 96.0 20.0 32.0 0.500 9.200 6.900 MJ3401A11DAM PLP-6G 許可 4.425 4.220 2.500 2.925 0.180 1.024 96.0 12.0 8.0 0.500 8.800 6.000 MJ3401A12DAM PLP-6G 許可 4.475 4.265 2.300 2.690 0.360 1.024 96.0 20.0 32.0 0.500 9.760 6.900 MJ3401C01DAM PLP-6G 禁止 4.425 4.425 2.800 2.800 0.180 1.024 144.0 16.0 8.0 0.500 7.500 6.000 MJ3401C02DAM PLP-6G 禁止 4.435 4.435 2.800 2.800 0.180 1.024 144.0 16.0 8.0 0.500 7.500 6.000 MJ3401C03DAM PLP-6G 禁止 4.275 4.275 2.300 2.300 0.130 1.024 96.0 8.0 16.0 0.500 6.000 4.000 -
関連データ
注目製品
ミネベアミツミの半導体が選ばれる理由
開発・設計・製造までの一貫体制で高性能な半導体を提供します